Elettronica pratica/Transistore: differenze tra le versioni
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Una regione leggermente drogata denominata base è frapposta tra due regioni denominate rispettivamente emettitore e collettore. Il collettore gestisce quantità elevate di corrente, dunque la sua concentrazione di droga è la più elevata. La concentrazione di droga dell'emettitore è leggermente minore, ma la sua superficie è più grande per provvedere ad una corrente maggiore di quella del collettore. La regione del collettore deve essere fortemente drogata perche le coppie cavità-elettrone si ricombinano in detta regione, mentre l'emettitore non è una tale regione. Di questo tipo di transistori ce ne possono avere due varietà.
====NPN====
Qui un semiconduttore di tipo-p leggermente drogato (semiconduttore con più cavità che elettroni) è frapposto a mò di sandwich fra due regioni tipo-n ben drogate. E' simile a due giunzioni pn che si affacciano. Qui viene mostrato un simbolo della IEEE per il transistore npn. La freccia tra la base e l'emettitore punta nella medesima direzione della corrente che scorre tra la giunzione base-emettitore. La potenza dissipata nel transistore è <math>\ P=V_{ce} I_c</math>, laddove <math>\ V_{ce}</math> è la tensione fra il collettore e l'emettitore e <math>\ I_c</math> è la corrente di collettore.
====PNP====
Qua, ogni cosa è opposta a quella del npn. Questo transistore è più simile a due giunzioni-pn che si affacciano l'un l'altra. Qui è mostrato il suo simbolo IEEE. Nuovamente, si osservi la direzione della freccia.
===Funzionamento===
Le funzioni dei transistori BJT.
==Altri materiali===
Quasi tutti i transistori sono costruiti nei circuiti integrati su lastre estremamente pure di silicio.
Alcuni transistori che operano a velocità elevata sono costruiti di GaAs.
Alcuni circuiti integrati sono di silicio-su-zaffiro.
Poichè i transistori sono limitati dall'ammontare della potenza che sono in grado di dissipare, il diamante (che possiede una elevata conduttività termica per un tale buon isolante) potrebbe sembrare di essere una buona scelta.
Alcuni considerano che dei piccoli transistrori possano essere costruiti di carbonio individuale [[Wikipedia:nanotube]]
[[Categoria:Elettronica pratica]]
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