Elettronica pratica/Transistore: differenze tra le versioni
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JFET (transistore a giunzione a effetto di campo//Junction Field Effect Transistor)
===Semiconduttori metallo-ossido complementari===
"CMOS" (Complementary Metal Oxide Semiconductor) non è un tipo di transistore. E' una famiglia di logiche fondate sui transistori MOS.
CMOS è costituito da due FET che bloccano le tensioni positive e negative. Poichè un FET alla volta solamnete può essere funzionante , il CMOS consuma una quantità di energia trascurabile durante qualsiasi stato logico. Ma quando si verifica una transizione di stato, della energia viene consumata dal dispositivo. L'energia che viene consumata è di due tipi.
"Energia di cortocircuito" : Per una durata molto breve, entrambi i transistori sono funzionanti ed una corrente veramente intensa scorre nel dispositivo durante quel periodo.Questa corrente rende conto del 10% dell'energia totale consumata dal CMOS.
"Energia dinamica": Questa è dovuta alla carica accumulata nella capacità parassita del nodo d'uscita del dispositivo.Questa capacità parassita dipende dalla superficie dei fili, e dalla vicinanza ad altri strati di metallo nel circuito integrato, come pure dalla permettività relativa dello strato di quarzo che separa gli strati consecutivi di metallo. Dipende pure dalla capacità d'ingresso della porta logica successiva.
Questa capacità ritarda l'innalzamento nella tensione d'uscita e pertanto l'innalzamento e la caduta nell'uscita è come quella in una rete RC (resistore-condensatore). Pertanto, l'energia dinamica consumata a causa dell'azione di commutazione in una porta è data da:
::::::<math>\ P_d=CV^{2f}</math>
[[Categoria:Elettronica pratica]]{{Avanzamento|25%|26 marzo 2008}}
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