Elettronica pratica/Transistore: differenze tra le versioni
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I BJT ed i FET sono oggigiorno entrambi popolari, (tra i FET, il MOSFET che è la forma più popolare di transistore) ciascuno dei quali presenta dei vantaggi sull'altro. I BJT sono dispositivi molto veloci e di elevata capacita di corrente, mentre i FET sono dispositivi di piccole dimensioni e bassa potenza. Tentativi sono in corso per integrare entrambe le caratteristiche in un singolo chip (BiCMOS) per produrre dei circuiti integrati logici estremamente densi e veloci, che possano compiere funzioni complesse. La comprensione del funzionamento di un transistore è la chiave per la comprensione dell'elettronica.
Oggigiorno i transistori più comuni sono i FET: i transistrori ad effetto di campo. Questi transistori sono caratterizzati dall'avere la conduttanza tra la sorgente ed il pozzo che dipende dalla tensione applicata tra i terminali la porta e la sorgente. La dipendenza è lineare se la tensione tra la porta ed il pozzo è elevata unitamente alla tensione tra porta e sorgente. Si trasforma in una relazione ad andamento quadratico se la tensione tra porta e pozzo non è sufficiente.
Uno dei problemi che si presentano nella progettazione dei circuiti è quello che mentre i chip diventano più piccoli gli isolanti diventano più sottili ed iniziano ad assomigliare al formaggio svizzero. Come risultato l'isolante comincia a comportarsi da conduttore. Ciò è noto come corrente di fuga. Una soluzione è quella di sostituire l'isolante con un materiale a coefficiente dielettrico più alto.
Sono disponibili due tipi: FET a funzionamento rinforzato e FET in modalità di svuotamento. Il FET a funzionamento rinforzato è lo standard MOSFET, in cui il canale deve essere provocato applicando una tensione. I MOSFET in modalità di svuotamento hanno il canale incorporato, e la tensione che viene applicata fa si che il canale cessi di essere conduttivo.
I transistorei FET rispondono alla differenza della polarizzazione tra la porta e la sorgente.
MOSFET (trasistore a semiconduttore metallo-ossido a effetto di campo//Metal Oxide Semiconductor Field-Effetct Transistor)
JFET (transistore a giunzione a effetto di campo//Junction Field Effect Transistor)
[[Categoria:Elettronica pratica]]{{Avanzamento|25%|26 marzo 2008}}
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