Cronologia della pagina
23 giu 2023
9 dic 2021
20 ago 2016
17 ott 2009
30 mar 2009
Pasquale.Carelli
→Distribuzione degli ioni
+21
Marco de meis
→Interazione degli atomi di drogante con il substrato e necessità dell'annealig
+25
Marco de meis
→RTA (Rapid Termal Annealing)
+1 000
Marco de meis
→RTA (Rapid Termal Annealing)
+13
Marco de meis
→Interazione degli atomi di drogante con il substrato e necessità dell'annealig
+513
27 mar 2009
Ramac
→Interazione degli atomi di drogante con il substrato e necessità dell'annealig
mIlaria Lucresi
nessun oggetto della modifica
+6
Ilaria Lucresi
nessun oggetto della modifica
+2 214
26 mar 2009
Ramac
cambio avanzamento a 50%
m−33
Angelochimisso
→Impiantatore ionico
−5
Angelochimisso
→Impiantatore ionico
+19
Angelochimisso
→Impiantatore ionico
+897
Angelochimisso
→Impiantatore ionico
+28
Angelochimisso
→Impiantatore ionico
+1 138
Angelochimisso
nessun oggetto della modifica
+1 297
Ramac
fix
m+8
Angelochimisso
Nuova pagina: {{Micro e nanotecnologia}} L’impiantazione ionica consiste nell’introduzione di atomi carichi ad elevata energia in un substrato, solitamente un wafer silicio, al fine di variarne…
+1 584