Discussione:Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Processi successivi/Ossidazione
scusate ma credo sia necessario aprire una discussione su un eventuale modifica di una parte del testo: " gli ossidi deposti sono di qualità peggiore e vengono, ad esempio, utilizzati come ossidi sacrificali ( si tratta di strati di ossido che vengono deposti sul wafer di silicio e successivamente rimossi per eliminare i difetti della superficie)"
credo che questa parte non sia errata ma forviante, infatti gli ossidi sacrificali sono di tipo termico per una ragione, pulire la zona di gate ad esempio prima del gate ox, l'ossido cresce a carico del silicio assottigliandolo e poi viene rimosso con attacco wet insieme alle eventuali impurità, è vero che un ossido deposto puo essere usato per un successivo attacco planarizzazione, ma questo i generale non viene fatto di norma si fa la planarizzazione sul vapox dopo annealing che rappresenta lo strato di isolante prima della metallizzazione assottigliandolo e non rimuovendolo del tutto, definirlo sacrificale. per cui proporrei di modificare la voce annoverando gli ossidi sacrificali tra gli ossidi termici e invece gli ossidi deposti come ossidi passivanti usati ogni qual volta non possiamo intaccare gli strati sottotanti, in genere dopo il gate.
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